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Transistor de puissance GAN
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Transistor de puissance GAN
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composant discret
inductance
Processus de service de personnalisation des produits
Recherche
marque:
Noyau de l'Tianqixin
Pd:
113
39
169
75
67.5
50
Identifiant:
17
4.8
30
10
13
VGS:
-1.4/7
±7
±20
-1.4/+7
Vds:
650
Trouvé
8
modèle
Modèle
Pd (mW)
Identifiant (A)
VGS
Vds (V)
Paquet
PDF
SKGM17N65AD8
113 mW
—
—
650 V
DFN5*6
PDF
SKGM18N65-T
50 mW
—
—
650 V
TO-220
PDF
SKGM18N65-N8
67.5 mW
—
—
650 V
DFN8*8
PDF
SKGM10N65-N88
75 mW
—
—
650 V
DFN8*8
PDF
SKGM10N65AD8
75 mW
—
—
650 V
DFN5*6
PDF
SKGM35N65-TL
169 mW
—
—
650 V
TOLL
PDF
SKGM048N65AD8
39 mW
—
—
650 V
DFN5*6
PDF
SKGM17N65-N88
113 mW
—
—
650 V
DFN8*8
PDF